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- 規(guī)格型號(hào)：64833568
- 頻率：32~180MHZ
- 尺寸：3.2*1.5mm
- 產(chǎn)品描述：Statek晶振,CX11VSM晶振,CX11VSCSM132.768K晶振,Statek公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，它宣布了DFXO石英晶體振蕩器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20MHz到3...
Statek晶振,CX11VSM晶振,CX11VSCSM1–32.768K晶振
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Statek晶振,CX11VSM晶振,CX11VSCSM1–32.768K晶振,Statek公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，它宣布了DFXO石英晶體振蕩器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點(diǎn)是低相位噪聲和低相位抖動(dòng)，達(dá)到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用。提出了擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。我們的晶體在許多醫(yī)學(xué)應(yīng)用中都有，包括醫(yī)療遙測(cè)裝置，起搏器，除顫器，神經(jīng)刺激器，輸液泵，葡萄糖監(jiān)測(cè)儀，助聽設(shè)備等等。設(shè)計(jì)援助是可用的。Statek晶振,CX11VSM晶振,CX11VSCSM1–32.768K晶振.
| Statek晶振規(guī)格 | 單位 | CX11VSM晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 | |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 16MHz to 250MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 裸存 | |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C，-40°C ～ +85°C，-55°C ～ +125°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 | |
| 激勵(lì)功率 | DL | 200μW Max. | 推薦:1μW ～ 100μW | |
| 頻率公差 | f_— l |
±100 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), ±50 × 10-6 |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://ljnshy.cn/ | |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±100 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. | |
| 負(fù)載電容 | CL | 10pF ～ ∞ | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. | |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW | |
| 頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
|
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存儲(chǔ)事項(xiàng)(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
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Statek國際晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念：1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.Statek晶振,CX11VSM晶振,CX11VSCSM1–32.768K晶振.
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