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更多>>- 規格型號:33272590
- 頻率:1~160MHZ
- 尺寸:3.2*2.5mm
- 產品描述:NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,...
NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振


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新日本無線集團創立于1959年,是以模擬半導體為中心從事設計、開發、制造、銷售為一體的高新半導體技術企業。公司自創立以來,精煉出了獨自的技術和創造出了特色的產品,一直為世界電子技術的發展做出著貢獻。現在,已形成了半導體技術和微波技術兩大產業支柱,這兩種技術融合而產生的「μ&μ」(Microelectronics & Microwave)旗號是擔當未來新時代的關鍵多媒體技術。在產品比例中,半導體占84%,微波占16%,并在不斷開創新的領域
NJR Crystal擁有驗豐富的多語種銷售,應用支持和工程團隊可指導客戶從設計階段到全面生產,NJR晶振的產品由各地的航空航天,汽車,通信,計算,和醫療行業的領先.
NJR晶振一直致力于向市場提供優質的晶振產品,其中包括石英晶體諧振器,溫補晶振,石英晶體等產品,經過幾十以來,用戶對于NJR晶振需求量增大,同時,NNR晶振知名度越來越大,如今已發展成為大規模的企業.NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振.
NJR Crystal擁有驗豐富的多語種銷售,應用支持和工程團隊可指導客戶從設計階段到全面生產,NJR晶振的產品由各地的航空航天,汽車,通信,計算,和醫療行業的領先.
NJR晶振一直致力于向市場提供優質的晶振產品,其中包括石英晶體諧振器,溫補晶振,石英晶體等產品,經過幾十以來,用戶對于NJR晶振需求量增大,同時,NNR晶振知名度越來越大,如今已發展成為大規模的企業.NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振.

Parameter | Symbol | Parameter values / limits | Conditions / remarks |
Nominal frequency | F N | 1.0 ~ 160MHz | Fundamental or 3rd overtone design |
Supply voltage range | V DD | 1.8V / 2.5V / 3.3V / 5.0V | More available, please contact us |
Supply current consumption | I DD | 3mA ~ 40mA | See note 1 |
Overall frequency stability | Δf/F N | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | See note 2, others available |
Operating temperature range | T OP | –10°C ~ +70°C up to –40°C ~+125°C | Other options available |
Aging first year | (Δf/F N )y1 | ±3ppm | @+25°C |
Output waveform ? load | — / C L | HCMOS / 15pF or 30pF | Most common, others on request |
Output voltage levels | V OH / V OL | ≥90%V DD / ≤10%V DD | — |
Rise and fall times | t R and t F | ≤8ns below 16MHz ≤4ns 40~100MHz | @10%~90%~10%V DD , V DD =3.3V |
≤5ns 16~40MHz ≤2ns above 100MHz | |||
Output symmetry (duty cycle) | DC | 40/60% or 45/55% | @50%V DD |
Standby function (enable/disable on pin 1) |
E/D |
Pin1 = High or open -> Output pin3 active Pin1 = Low -> Output pin3 high impedance |
· Output high impedance = TRI-STATE Pin1 can be left open = floating |
Standby current consumption | I STB | 10µA | Typical |
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將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).NJR晶振,SCO6晶振,SCO66B-20.0000MTS-EXT晶振.

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