規(guī)格型號：38351944
頻率：8~150MHZ
尺寸：6.0*3.5mm
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產(chǎn)品描述：FMI晶振,FMXMC6S2晶振,FMXM2C6S2118HJA-26.000M-CM晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)...

FMI晶振,FMXMC6S2晶振,FMXM2C6S2118HJA-26.000M-CM晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

我們的石英晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品解決方案針對工業(yè)控制,能源探索和生產(chǎn),航空電子和太空,無線系統(tǒng)(XBee等),智能公用事業(yè),先進的高速4G網(wǎng)絡(luò)和固態(tài)存儲,極低功耗和電池供電關(guān)鍵應(yīng)用解決方案.
環(huán)境政策
作為晶體和振蕩器產(chǎn)品的制造商,FMI致力于保護全球環(huán)境,并相信環(huán)境可持續(xù)性在良好的商業(yè)實踐中起著關(guān)鍵作用.我們將繼續(xù)制定和維護計劃和程序,以便在我們的所有業(yè)務(wù)運營中保持環(huán)保意識.請在此處查看FMI的完整環(huán)境政策聲明.
頻率管理使命宣言
頻率管理|INTERNATIONAL[FMI]在頻率控制設(shè)備的設(shè)計和制造方面提供卓越的解決方案,同時提供業(yè)內(nèi)已知的最高質(zhì)量的客戶服務(wù)質(zhì)量.
我們專注于優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,定制解決方案以及從概念到交付的快速周轉(zhuǎn).我們的專業(yè)技術(shù)人員提供最佳設(shè)計解決方案,為高科技市場的客戶提供長期價值,包括(但不限于)通信,商業(yè)空間,石油鉆探,地?zé)?工業(yè),高可靠性,軍事和航空航天.
FMI晶振作為標準通信公司的專屬供應(yīng)商,創(chuàng)立50多年來,一直為通信市場提供快速交付和嚴格公差的石英晶振和石英晶體振蕩器.FMI晶振,FMXMC6S2晶振,FMXM2C6S2118HJA-26.000M-CM晶振.

Parameter	Specification
Frequency Range	8 - 150 MHz
Operation Mode	See Operation Mode and ESR Table
Load Capacitance (CL)	18 pF Std, 8 - 60 pF and Series available
Frequency Tolerance	±30 ppm @ 25°C Std (See Cal. Tol. for Options)
Temperature Tolerance	±50 ppm Std (See Temp. Tol. for Options)
Operating Temperature	0 to +70°C Std. (See Temp. Range for Options)
Storage Temperature	-40 to +85°C / -55 to +125°C
Equivalent Series Resistance (ESR)	See Operation Mode and ESR Table
Shunt Capacitance (C0)	7 pF max.
Drive Level	10 µW typical, 300 µW max
Aging @ 25°C	±3 ppm per year max
Insulation Resistance	500MΩ min at 100V DC ±15V
Reflow Conditions	+260ºC ±10ºC for 10 sec max 2 reflows max

存儲事項

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。FMI晶振,FMXMC6S2晶振,FMXM2C6S2118HJA-26.000M-CM晶振.

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