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首頁歐美晶振Vectron晶振Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振

    Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振

  • 規(guī)格型號:57490649
  • 頻率:24~54MHZ
  • 尺寸:1.6*1.2mm
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  • 產(chǎn)品描述:Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振,Vectron國際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù)。產(chǎn)品包括晶體和...
        Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振,Vectron國際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù)。產(chǎn)品包括晶體和石英晶體振蕩器;頻率翻譯;時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;看到過濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時(shí)、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過濾器和組件。
Vectron國際公司總部位于美國北部的哈德遜,在北美、歐洲和亞洲設(shè)有運(yùn)營設(shè)施和銷售辦事處,它的技術(shù)能力在水晶振蕩器和濾光器設(shè)計(jì)方面都很有名。公司提供的創(chuàng)新和能力反映了更高頻率、低成本設(shè)計(jì)和小型化的趨勢,以及更先進(jìn)的技術(shù)集成解決方案。其中一些關(guān)鍵技術(shù)包括:ASIC設(shè)計(jì)、表面安裝技術(shù)、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎(chǔ)”(HFF)晶體設(shè)計(jì)和空間組件能力。
美國威克創(chuàng)國際抯設(shè)施包含先進(jìn)的設(shè)備。由高頻基礎(chǔ)和SC切割晶體的先進(jìn)制造所突出的離散晶體技術(shù)…100級和10000級潔凈室設(shè)施生產(chǎn)前沿陶瓷包裝VCXO抯,時(shí)機(jī)復(fù)蘇和時(shí)鐘恢復(fù)單位,看到基于過濾器…為國家的藝術(shù)測試能力,包括一個(gè)專用的空間組件制造設(shè)施。Vectron晶振,VXN1晶振,1612mm晶振.
 
Vectron晶振規(guī)格 單位 VXN1晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 24~54MHZ 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 100μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±15 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://ljnshy.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±15 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 5pF ,32PF 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


    存儲事項(xiàng)
    (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
    正常溫度和濕度:
    溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
    (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
    安裝時(shí)注意事項(xiàng)
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
   (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。


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