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帝國博客
更多>>- 規格型號:83105929
- 頻率:13.5~220MHZ
- 尺寸:5.0*7.0mm
- 產品描述:SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻...
SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振


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SMI晶振公司電子社會做出貢獻,在穩步的研究和努力的基礎上,快速開發先進的水晶產品。
SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發生產石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進的生產設備以及完善的服務體系,獲得廣大用戶一直好評.
多年來SMI晶振公司獨自開發了多款受市場歡迎的SIM石英晶振型號,而且用途性廣,為各行各業的發展做出了一定的貢獻.SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振.

Item | Specifications | ||
General part number | 77SMO* 1 | ||
Frequency range | 13.5000 MHz to 220.000 MHz | ||
Frequency stability (over all conditions) |
77SMO(A): ±100 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(B): ±50 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(C): ±30 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(D): ±25 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(E): ±20 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(AW): ±100 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(BW): ±50 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(CW): ±30 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(DW): ±25 ppm over -40゜C to +85゜C |
||
Operating Conditions | Operating temperature |
-20゜C to +70゜C(Standard) -40゜C to +85゜C(W = Option) |
|
Supply voltage (V DD ) | +2.5V DC ±5% | +3.3V DC ±5% | |
Stand-by control voltage (Pin#1) |
V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.* 2 |
||
Absolute Max. Ratings | Supply voltage | -0.3V to +4.0V DC | |
Storage temperature | -50゜C to +125゜C | ||
Input current (Pin#1 = Open or V IH ) | 60 mA max. | ||
Stand-by current* 2 (Pin#1 = V IL ) | 15 μA max. | ||
Output (-40゜C to +85゜C) |
Symmetry | 45% to 55% at crossing point | |
Rise and fall times(20% to 80% of amplitude) | 0.5 ns max. (0.3 ns, Typical) | ||
0 Level | V OL : -150mV to +150mV | ||
1 Level | V OH : +580mV to +850mV | ||
Load | 50 Ω | ||
Start-up time | 10 ms max. | ||
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz) |
-133 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset | ||
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band) (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz) |
500 fs max. (85 fs, Typical) | ||
Disable delay time | 200 ns max. | ||
Enable delay time | 2 ms max. | ||
Differential output voltage | +0.60Vp-p min. | +0.65Vp-p min. | |
Aging | ±5 ppm max. at +25゜C ±3゜C for first year | ||
Reflow condition |
+250゜C ±10゜C for 10 seconds +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating) |

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振.

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