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首頁進(jìn)口晶振SMI晶振SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器

    SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器

  • 規(guī)格型號:59952338
  • 頻率:4~55MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5mm
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  • 產(chǎn)品描述:SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻...
    SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
    SMI晶振公司電子社會做出貢獻(xiàn),在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上,快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
    我們專注于最新的SMD版本的晶體單元,時鐘OSC,TCXO,VCXO,OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品,支持高可靠性數(shù)據(jù),頻率范圍從16.000kHz(低)到350.000MHz(高),嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。
    SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及完善的服務(wù)體系,獲得廣大用戶一直好評.
    多年來SMI晶振公司獨(dú)自開發(fā)了多款受市場歡迎的SIM石英晶振型號,而且用途性廣,為各行各業(yè)的發(fā)展做出了一定的貢獻(xiàn).SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

Item  Specifications
General part number  32SMOHG* 1
Frequency range  4.000 MHz to 55.000 MHz
Standard frequencies  (MHz)  5.000, 10.000, 12.000, 16.000, 20.000, 24.000, 32.000, 40.000, 44.000
Frequency stability* 2
(over all conditions)
32SMOHG(F)
32SMOHG(G)
32SMOHG(H)
: ±15 ppm over -40゜C to +85゜C
: ±10 ppm over -40゜C to +85゜C
: ±8 ppm over -40゜C to +85゜C
Operating Conditions Operating temperature -40゜C to +85゜C (Standard)
Supply voltage (V DD ) +1.8V , +2.5V , +3.0V or +3.3V DC ± 10%
Stand-by control
voltage (Pin#1)
V IH : 70% V DD min.
V IL : 30% V DD max.* 3
Absolute Max. Ratings Supply voltage -0.3V to +4.0V DC
Storage temperature  -40゜C to +85゜C
Input current (Pin#1 = Open or V IH )   7 mA max. (no load)
Stand-by current* 3    10 μA max. (Pin#1 = V IL )
Output
(-40゜C to +85゜C)
Symmetry  45% to 55% at 1/2 V DD level
Rise and fall times  5 ns max. (10% V DD to 90% V DD level)
0 Level  V OL : 10% V DD max.
1 Level  V OH : 90% V DD min.
Load  15 pF max. (CMOS)
Disable delay time  100 ns max.
Enable delay time  10 ms max.
Start-up time  10 ms max.
SSB phase noise
(at V DD = +3.3V & 48.000 MHz)
 -136 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset
 -160 dBc / Hz, Typical at 1 MHz offset
RMS jitter  (12 kHz to 20.000 MHz band)  168 fs, Typical (at V DD = +3.3V & 48.000 MHz)
Reflow condition +250゜C ±10゜C for 10 seconds
+170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating)
     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

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