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帝國博客
更多>>- 規(guī)格型號:59952338
- 頻率:4~55MHZ
- 尺寸:3.2*2.5mm
- 產(chǎn)品描述:SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻...
SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器


航欄(10).jpg)

SMI晶振公司電子社會做出貢獻(xiàn),在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上,快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及完善的服務(wù)體系,獲得廣大用戶一直好評.
多年來SMI晶振公司獨(dú)自開發(fā)了多款受市場歡迎的SIM石英晶振型號,而且用途性廣,為各行各業(yè)的發(fā)展做出了一定的貢獻(xiàn).SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

Item | Specifications | |
General part number | 32SMOHG* 1 | |
Frequency range | 4.000 MHz to 55.000 MHz | |
Standard frequencies (MHz) | 5.000, 10.000, 12.000, 16.000, 20.000, 24.000, 32.000, 40.000, 44.000 | |
Frequency stability* 2 (over all conditions) |
32SMOHG(F) 32SMOHG(G) 32SMOHG(H) : ±15 ppm over -40゜C to +85゜C : ±10 ppm over -40゜C to +85゜C : ±8 ppm over -40゜C to +85゜C |
|
Operating Conditions | Operating temperature | -40゜C to +85゜C (Standard) |
Supply voltage (V DD ) | +1.8V , +2.5V , +3.0V or +3.3V DC ± 10% | |
Stand-by control voltage (Pin#1) |
V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.* 3 |
|
Absolute Max. Ratings | Supply voltage | -0.3V to +4.0V DC |
Storage temperature | -40゜C to +85゜C | |
Input current (Pin#1 = Open or V IH ) | 7 mA max. (no load) | |
Stand-by current* 3 | 10 μA max. (Pin#1 = V IL ) | |
Output (-40゜C to +85゜C) |
Symmetry | 45% to 55% at 1/2 V DD level |
Rise and fall times | 5 ns max. (10% V DD to 90% V DD level) | |
0 Level | V OL : 10% V DD max. | |
1 Level | V OH : 90% V DD min. | |
Load | 15 pF max. (CMOS) | |
Disable delay time | 100 ns max. | |
Enable delay time | 10 ms max. | |
Start-up time | 10 ms max. | |
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 48.000 MHz) |
-136 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset -160 dBc / Hz, Typical at 1 MHz offset |
|
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band) | 168 fs, Typical (at V DD = +3.3V & 48.000 MHz) | |
Reflow condition | +250゜C ±10゜C for 10 seconds | |
+170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating) |

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).SMI晶振,32SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

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