規(guī)格型號(hào)：70297805
頻率：100~160MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：NJR晶振,SCH3晶振,SCH36B-125.000MTS-EXT晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,...

NJR晶振,SCH3晶振,SCH36B-125.000MTS-EXT晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

NJR crystal在日本東京都中央?yún)^(qū)成立于1949年,專注于生產(chǎn)的日本NJR晶體,32.768K,溫補(bǔ)晶振等水晶元器件,滿足市場(chǎng)對(duì)NJR晶體的小型化,高的產(chǎn)品質(zhì)量等需求,
NJR晶振有限公司將以高瞻遠(yuǎn)矚的戰(zhàn)略和創(chuàng)新的高新技術(shù),繼續(xù)為工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)小型化抗噪晶振產(chǎn)品,通過工業(yè)機(jī)器應(yīng)用晶振完成社會(huì)期望和客戶期望方面的重點(diǎn)
NJR Crystal擁有驗(yàn)豐富的多語(yǔ)種銷售,應(yīng)用支持和工程團(tuán)隊(duì)可指導(dǎo)客戶從設(shè)計(jì)階段到全面生產(chǎn),NJR晶振的產(chǎn)品由各地的航空航天,汽車,通信,計(jì)算,和醫(yī)療行業(yè)的領(lǐng)先位置,并不斷改進(jìn)與創(chuàng)新,秉持超越自我的精神,為社會(huì)做出巨大的貢獻(xiàn),同時(shí)也竭盡所能為社會(huì)創(chuàng)造更加的價(jià)值.
NJR晶振被稱為新日本無線, 新日本無線將保護(hù)環(huán)境、尊重生命為己任，在預(yù)防危害污染和環(huán)境保護(hù)方面做出了相當(dāng)大的努力，并做出了保護(hù)地球、安全至上的承諾。作為企業(yè)活動(dòng)還自主的做出環(huán)境方針，建立全員節(jié)約能源、污染預(yù)防及降低風(fēng)險(xiǎn)的持續(xù)改善工作，以達(dá)到企業(yè)永續(xù)經(jīng)營(yíng)發(fā)展目標(biāo).并且持續(xù)不斷改善環(huán)保方針,生產(chǎn)更多環(huán)保晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.NJR晶振,SCH3晶振,SCH36B-125.000MTS-EXT晶振.

Parameter	Symbol	Parameter values ? limits	Conditions ? remarks
Feature / Model	—	Ultra Low Jitter & Phase Noise	Low Jitter & Phase Noise
Oscillator mode	—	Overtone circuit	Multiplier circuit
Nominal frequency	F N	100.0 ~ 160.0MHz	125.0 ~ 250.0MHz
Supply voltage range	V DD	2.5V DC ? 3.3V DC	3.3V DC
Supply current consumption	I DD	<40mA	<60mA
Overall frequency stability	?f/F N	±20ppm, ±25ppm, ±50ppm, ±100ppm
Operating temperature range	T OP	–10°C ~ +70°C or –40°C ~+85°C
Aging first year	(Δf/F N )y1	±3ppm
Output waveform ? load	— / C L	HCMOS ? 15pF
Output voltage levels	V OH /V OL	≥90%V DD / ≤10%V DD
Rise and fall times	t R and t F	1ns TYP, 2ns MAX
Output symmetry (duty cycle)	DC	40/60% or 45/55%
Phase jitter (12kHz≤Fj≤20MHz)	J RMS	0.2ps TYP (for 155.520MHz)	0.4ps TYP (for 155.520MHz)
Phase noise (Note 3)	?(?f)	–70 / –108 / –134 / –142 / –143dBc	–62 / –95 / –120 / –125 / –129dBc
Standby function (E/D on pin 1)	E/D	Pin1=High or open -> Output pin3 active Pin1=Low -> Output pin3 high imped.
Power ramp up rate (V DD at 90%)	t PU	0.1 ~ 100ms (monotonic ramp up)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.NJR晶振,SCH3晶振,SCH36B-125.000MTS-EXT晶振.

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