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更多>>- 規(guī)格型號(hào):6195434
- 頻率:10~26MHZ
- 尺寸:5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述:FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度...
FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振


航欄(10).jpg)

高可靠性-極端溫度晶體,振蕩器和傳感器,適用于極端環(huán)境條件,包括高沖擊和振動(dòng),極端溫度和高壓.我們的晶體振蕩器產(chǎn)品提供標(biāo)準(zhǔn)和定制表面貼裝(SMT,SMD)和通孔封裝.
此外,FMI目前向各種商業(yè)/工業(yè)細(xì)分市場(chǎng)供應(yīng)產(chǎn)品,包括:計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備,工業(yè)儀器儀表,LAN/WAN,光網(wǎng)絡(luò),過(guò)程控制,電信和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品.我們專(zhuān)注于高質(zhì)量的壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(VCTCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO),溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),晶體時(shí)鐘振蕩器(XO)和石英晶體采用表面貼裝和通孔封裝.我們提供晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品的定制解決方案,從概念到交付快速周轉(zhuǎn).
我們對(duì)卓越的承諾不僅體現(xiàn)在我們的頻率控制產(chǎn)品中,而且體現(xiàn)在我們所有客戶(hù)的服務(wù)水平上.對(duì)于高可靠性頻率控制解決方案和無(wú)可挑剔的服務(wù),請(qǐng)始終關(guān)注頻率管理國(guó)際.
FMI-在頻率控制設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造方面提供卓越的解決方案,包括封裝石英晶體,晶體時(shí)鐘振蕩器(XO),壓控晶體振蕩器(VCXO),
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),電壓控制,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(VCTCXO),鎖相源等.我們的極端環(huán)境設(shè)備包括-高溫石英晶體,高溫振蕩器,以及用于空間和軍事應(yīng)用的高溫傳感器和卓越解決方案.FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振.

Parameter | Clipped Sinewave Specification | |
Frequency Range | 10 - 26.0 MHz | |
Frequency Adjustment Range | None (Std.); ±3 ppm min. with MT Option | |
Frequency Stability vs. Temp | See Table; Standard, -30°C to +75°C | |
Frequency Stability vs. Input V. | ±0.5 ppm max. | |
Frequency Stability vs. Load | ±0.3 ppm max. | |
Frequency Stability vs. Aging | ±1 ppm per year max. | |
Storage Temperature | -40 to +85°C | |
Supply Voltage (Vdd) | +5.0 Vdc (±0.25 Vdc) | |
Supply Current (Icc) | 20 mA max. | |
Symmetry (Duty Cycle) | 40/60% Std. | |
Output “0” Level (V OL ) |
0.4 Vdc max. (TTL) 0.5 Vdc max. (HCMOS) |
|
Output “1” Level (V OH ) |
2.4 Vdc min. (TTL) 4.5 Vdc min. (HCMOS) |
|
Rise and Fall Time | 10 ns max. (5ns typical) | |
Output Load | 10 TTL / 15 pF HCMOS | |
Jitter (typical) | < 10 pico seconds, one sigma | |
Phase Noise (typical) |
10 Hz -75dBc/Hz 100 Hz -110dBc/Hz 1kHz -125dBc/Hz 10kHz -130dBc/Hz 100kHz -140dBc/Hz |
|
Aging @ 25°C | ±1 ppm max first year | |
All specifications subject to change without notice. |

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).FMI晶振,FMTC5S3晶振,FMTC5S3050JSW/MT-12.000M-CM晶振.

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