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更多>>晶振工廠帝國科技與你知識共享陶瓷晶振判定方法分析
來源:http://ljnshy.cn 作者:帝國科技 2012年06月16
深圳晶振工廠生產(chǎn)石英晶振、陶瓷晶振、32.768K、表晶、SMD晶振、帝國科技公司與你共享技術(shù)知識,以下是常見的陶瓷晶振停振的原因分析,以及解決陶瓷晶振停振的方法:
解決陶瓷晶振停振關(guān)系到振蕩電路中陶瓷晶振電特性波動的振蕩穩(wěn)定性稱為額外增益。振蕩額外增益與陶瓷晶振的“R1”有關(guān)。當(dāng)“R1”增加時(shí),額外增益減少。為了檢查振蕩穩(wěn)定性,用阻抗分析儀或網(wǎng)絡(luò)分析儀來丈量單一陶瓷晶振的特性。對比有缺陷的陶瓷晶振和正常陶瓷晶振,可以發(fā)現(xiàn)不同的特性。
假如停振現(xiàn)象發(fā)生溫度改變時(shí),用干燥機(jī)或冷凍機(jī)改變溫度,再檢查陶瓷晶振的特性。假如陶瓷晶振沒有異常,發(fā)生了或很可能發(fā)生停振現(xiàn)象,其原因可能是電路常數(shù)不當(dāng)。這種情況下,應(yīng)核對電路常數(shù),由于對于不同的集成電路,其電路常數(shù)會有很大變化。
在電路常數(shù)中,負(fù)載電容“CL” (CL1/CL2) 非常重要。假如負(fù)載電容過高,電路增益就會減少。相反,假如負(fù)載電容過低,電路就不能產(chǎn)生合適的相差,也會造成額外增益減少。要檢查此參數(shù),就得丈量負(fù)載電容的振幅特性。為此,在1/10至10倍這個(gè)范圍內(nèi),改變“CL” (CL1=CL2) 的標(biāo)準(zhǔn)值 (例: 有3個(gè)端子的產(chǎn)品的電容),觀察輸進(jìn) (V1) 振幅的變化。
當(dāng)負(fù)載電容合適時(shí),觀察最大振幅。假如反饋電阻 (Rf) 過大,當(dāng)印刷電路板的盡緣電阻由于某種原因減小時(shí),反饋就會停止,導(dǎo)致振蕩停止。此現(xiàn)象是由不穩(wěn)定的直流偏壓造成的。為了找到原因,拆除陶瓷晶振,再使用探測器丈量偏壓,此探測器應(yīng)與集成電路輸出端子相連。就會發(fā)現(xiàn),偏壓幾乎與VDD相同,但是正常情況下,偏壓應(yīng)為VDD/2。當(dāng)振蕩電路增加阻值約為1MΩ時(shí),外部反饋電阻就可以解決此題目。
作者:帝國科技

解決陶瓷晶振停振關(guān)系到振蕩電路中陶瓷晶振電特性波動的振蕩穩(wěn)定性稱為額外增益。振蕩額外增益與陶瓷晶振的“R1”有關(guān)。當(dāng)“R1”增加時(shí),額外增益減少。為了檢查振蕩穩(wěn)定性,用阻抗分析儀或網(wǎng)絡(luò)分析儀來丈量單一陶瓷晶振的特性。對比有缺陷的陶瓷晶振和正常陶瓷晶振,可以發(fā)現(xiàn)不同的特性。
假如停振現(xiàn)象發(fā)生溫度改變時(shí),用干燥機(jī)或冷凍機(jī)改變溫度,再檢查陶瓷晶振的特性。假如陶瓷晶振沒有異常,發(fā)生了或很可能發(fā)生停振現(xiàn)象,其原因可能是電路常數(shù)不當(dāng)。這種情況下,應(yīng)核對電路常數(shù),由于對于不同的集成電路,其電路常數(shù)會有很大變化。
在電路常數(shù)中,負(fù)載電容“CL” (CL1/CL2) 非常重要。假如負(fù)載電容過高,電路增益就會減少。相反,假如負(fù)載電容過低,電路就不能產(chǎn)生合適的相差,也會造成額外增益減少。要檢查此參數(shù),就得丈量負(fù)載電容的振幅特性。為此,在1/10至10倍這個(gè)范圍內(nèi),改變“CL” (CL1=CL2) 的標(biāo)準(zhǔn)值 (例: 有3個(gè)端子的產(chǎn)品的電容),觀察輸進(jìn) (V1) 振幅的變化。
當(dāng)負(fù)載電容合適時(shí),觀察最大振幅。假如反饋電阻 (Rf) 過大,當(dāng)印刷電路板的盡緣電阻由于某種原因減小時(shí),反饋就會停止,導(dǎo)致振蕩停止。此現(xiàn)象是由不穩(wěn)定的直流偏壓造成的。為了找到原因,拆除陶瓷晶振,再使用探測器丈量偏壓,此探測器應(yīng)與集成電路輸出端子相連。就會發(fā)現(xiàn),偏壓幾乎與VDD相同,但是正常情況下,偏壓應(yīng)為VDD/2。當(dāng)振蕩電路增加阻值約為1MΩ時(shí),外部反饋電阻就可以解決此題目。
作者:帝國科技
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