規(guī)格型號：2313742
頻率：32MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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產(chǎn)品描述：日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,美國進(jìn)口晶振,石英晶體諧振器,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EA2025,編碼EA2025MA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的水晶振動子,尺寸為2520mm,頻率32M...

日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,美國進(jìn)口晶振,石英晶體諧振器,SMD晶體,無源晶體,音叉晶體,型號EA2025,編碼EA2025MA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的水晶振動子,尺寸為2520mm,頻率32MHZ,精度15ppm,負(fù)載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具備良好的穩(wěn)定性能,比較適合智能家居,電子產(chǎn)品等領(lǐng)域.

EA2025MA10-16.000M-TR石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子

EA2025MA10-32.000M-TR晶振參數(shù)表

日蝕晶振規(guī)格	單位	EA2025晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±15 × 10^-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://ljnshy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	60 Ohms	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子尺寸圖

EA2025MA10-32.000M-TR晶振使用注意事項
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。

正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C注意
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。日蝕晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振動子

歐美晶振編號	供應(yīng)商	系列	類型	頻率	頻率穩(wěn)定性	頻率容差	負(fù)載電容
EB3250AYA08-8.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	8 MHz	±50ppm	±30ppm	8pF
E1SJA18-6.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	6 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-18.432M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	18.432 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SFA18-4.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SJA18-14.31818M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	14.31818 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-6.144M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	6.144 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-28.63636M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	28.63636 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-13.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	13 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-19.6608M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	19.6608 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-9.8304M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	9.8304 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-32.000M TR	Ecliptek	E1S	-	-	-	-	-
EA2025MA10-16.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶體	16 MHz	±20ppm	±15ppm	10pF
EA2025MA10-32.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶體	32 MHz	±20ppm	±15ppm	10pF
E1WCDA12-32.768K	Ecliptek	E1WC	kHz 晶體（音叉）	32.768 kHz	-	±20ppm	12.5pF
E1SJA18-18.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	18 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-20.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-14.7456M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	14.7456 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SCA18-7.3728M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	7.3728 MHz	±100ppm	±50ppm	18pF
E1SEA18-16.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SEA18-12.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	12 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SJA18-10.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	10 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-12.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	12 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-11.0592M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	11.0592 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-16.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-3.579545M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	3.579545 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-4.194304M TR	Ecliptek晶振	E1S	MHz 晶體	4.194304 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-16.9344M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16.9344 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-5.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	5 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-13.500M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	13.5 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-9.216M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	9.216 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-12.288M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	12.288 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-4.500M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4.5 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-15.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	15 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-4.433619M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4.433619 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-16.384M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	16.384 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-6.7458M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	6.7458 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-15.360M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	15.36 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SDA18-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SJA18-4.9152M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4.9152 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF

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