在性能穩定的貼片晶振不斷涌現的今天,逆變器放大器的出現,使得晶振本身的性能有著不斷發展的空間,同樣重要的是要指出，逆變器放大器的gm通常在器件與晶圓之間具有±5％至>±15％的擴展。因此，晶體諧振器設計必須適應現實世界的容差效應。Abracon在開發分別為2.0x1.2x0.6mm和3.2x1.5x0.9mm的ABS06W和ABS07W系列彎腳音叉晶體時考慮了上述特定變量。
為了獲得最佳的在線性能，Abracon對電極圖案進行了優化，以降低C0的整體影響，使得最大保證（電極+封裝）電容在2.0x1.2x0.6mm封裝中為2.0pF，并且業界領先于1.30pF采用3215晶振封裝。
  憑借革命性的空白設計和加工技術，Abracon能夠在-40°C至+125°C的擴展工作溫度范圍內顯著降低這些解決方案的ESR;同時將電鍍負荷降至行業領先3.0pF。Abracon采用獨特的生產調整技術，在室溫下收緊設定公差和ESR分布。
圖6A至6D描繪了Abracon最小化這些解決方案的ESR值的能力;同時將電鍍負載降低到行業領先3.0pF。應該注意的是，大多數消費市場/物聯網終端解決方案的工作溫度范圍為-20°C至+70°C。在這個較窄的工作范圍內，石英晶體諧振器具有極低的ESR值;利用當今的節能硅片進一步提高內部增益。   Abracon已采取措施確保在-40°C至+125°C的整個工作范圍內實現最佳的ESR性能，并且是唯一能夠在更寬的工作溫度范圍內保證ESR性能值的OEM。Abracon還認識到需要采用這些設計，工藝和生產技術，并成功實施這些技術，以提供MHz范圍內廣泛的物聯網優化壓電石英晶體。由于一個軟件包無法滿足所有端到端形式因素的需求，因此Abracon開發了以下解決方案，以滿足全面的市場需求：   Abracon晶振能夠以業界領先的4.0pF電鍍電容制造這些解決方案，同時將ESR保持在最低可能值，確保這些解決方案不僅能夠與當今的22nm或14nmFinFET技術良好匹配，更重要的是，這些解決方案經過優化，可確保最佳性能下一代解決方案包括5nm節點在不久的將來。圖8A至8D中的數據概述了Abracon的MHz，IoT優化石英晶體在4.0pF負載下的優異性能：   Abracon的能力：
•保證（電極+封裝電容）“C0”最大2.0pF
•精確鍍覆[email protected]電鍍負載，小至1.6x1.2x0.4mm封裝
•同時降低晶體的ESR共同代表了商品價格優化石英晶體性能的范式轉變。
這種能力使閉環增益裕度（GM）顯著增強，具有現有的22nm或14nm節點，并確保了下一代10nm，7nm甚至5nmFinFET硅的穩健性能。下面比較在4.0pF和10.0pF下鍍有C0=2pF的晶體之間的比較清楚地概述了這個優點。