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帝國博客
更多>>- 規(guī)格型號:81702294
- 頻率:10~40MHZ
- 尺寸:5.0x3.2x1.45mm
- 產(chǎn)品描述:EPSON晶振,有源振蕩器,TG5032SAN晶振,高性能晶振,具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V)高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型...
EPSON晶振,有源振蕩器,TG5032SAN晶振,高性能晶振


航欄(12).jpg)

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

晶振參數(shù) | 符號 | TG5032SAN |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | fo | 10~40MHZ |
電源電壓 | Vcc | +3.3V |
存儲溫度 | T_stg | -40℃~+90℃ |
工作溫度 | T_use | 0℃~+70℃ |
頻率初期公差 | F_tol | ±2.0×10-6 Max |
待機(jī)電流 | I_std | 2 uA MAX |
輸出負(fù)載 | L_CMOS | 10pF Max |
輸出電壓 | VOH | Vcc-0.8V Min |
VOL | 0.4V Max | |
上升/下降時間 | tr/tf | 8 ns Max |
啟動時間 | T_str | 10 ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±1.0×10-6 /years Max |



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抗沖擊
抗沖擊是指壓控溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存低相躁晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.


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