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更多>>- 規(guī)格型號(hào):68649019
- 頻率:3.2~90.0MHZ
- 尺寸:11.4*4.8mm
- 產(chǎn)品描述:晶技TXC始終以提升客戶價(jià)值為目標(biāo),是以無(wú)論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促.經(jīng)過(guò)三十年的努力,臺(tái)灣晶技總公司而外,另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點(diǎn).
TXC無(wú)源晶體,HC-49SSMD晶振,石英晶體諧振器


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TXC無(wú)源晶體,HC-49SSMD晶振,石英晶體諧振器,高精度的石英晶體諧振器,是需要在生產(chǎn)前期的各道工序就得采用嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),比如電阻的測(cè)量技術(shù):引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器,準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm(國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)).在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性.如下方面都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來(lái)影響:1、測(cè)試針本身連接的可靠性;2、測(cè)試針同測(cè)試管的連接性;3、測(cè)試板同測(cè)試針的接觸問(wèn)題;4、測(cè)試座同電纜的連接;5、小負(fù)載的規(guī)格測(cè)量的規(guī)定;6、測(cè)試板π頭上空測(cè)其C0值(保留3位以上小數(shù));7、測(cè)量環(huán)境、操作方法等管制.

晶振參數(shù) | 石英晶振9C | |||
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 | 3.2MHz~90MHz | |||
儲(chǔ)存溫度 | -40°C ~+85°C | |||
工作溫度 | -20°C~ +70°C | |||
激勵(lì)功率 | 10μW (100μW max) | |||
精度 | ±20 ppm | |||
拐點(diǎn)溫度 | +25°C ±5°C | |||
負(fù)載電容 | Series,16pF ,20pF,or Specify | |||
串聯(lián)電阻(ESR) | 70kΩ Max |


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石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予正電場(chǎng)及負(fù)電場(chǎng)時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場(chǎng)區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng)區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予負(fù)電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對(duì)的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)對(duì)二氧化硅的向量角度有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場(chǎng)是由鍍?cè)谑⑿酒系慕饘匐姌O產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.
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