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更多>>- 規(guī)格型號(hào):73707605
- 頻率:32.768KHz
- 尺寸:7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述:臺(tái)灣TXC電子多年來(lái)致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來(lái)陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專(zhuān)利,未來(lái)將持續(xù)加強(qiáng)開(kāi)發(fā),以成為全球石英頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).
石英晶體振蕩器,7WZ-7050mm晶技晶振,32.768K有源晶振




石英晶體振蕩器,7WZ-7050mm晶技晶振,32.768K有源晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

晶振參數(shù) | 單位 | 石英晶振7WZ | 晶振需求標(biāo)準(zhǔn) |
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 | f_nom | 32.768KMHz | 請(qǐng)確定你所需要的頻率,聯(lián)系我們代理商 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55°C — +125°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40°C — +85°C | |
電源電壓 | VDC | 1.8V,2.5V,2.8V,3.3V | |
精度 | f_-l | ±20 ppm | 如有需要更高的精度可以特定. |
拐點(diǎn)溫度 | Ti | +25°C ±5°C | |
負(fù)載電容 | CL | 15PF | 可指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 60kΩ 最大值 | |
頻率老化 | f_age | ±3 ×10-6 / year Max. | +25±3°C, 第一年 |




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英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予正電場(chǎng)及負(fù)電場(chǎng)時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場(chǎng)區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng)區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予負(fù)電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場(chǎng). (圖). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對(duì)的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)對(duì)二氧化硅的向量角度有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場(chǎng)是由鍍?cè)谑⑿酒系慕饘匐姌O產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.
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