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更多>>- 規(guī)格型號:99736264
- 頻率:32.768KHZ
- 尺寸:3.2x2.5mm
- 產(chǎn)品描述:智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘...
KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SY晶振,有源晶振


KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SY晶振,有源晶振. 日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是石英水晶振子,剛投資建廠時主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.請選擇正規(guī)【KDS晶振代理商帝國科技】產(chǎn)品特點貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
規(guī)格參數(shù) | DSO321SY晶振 |
頻率范圍 | 32.768KHZ |
電源電壓 | +1.8V~+3.3V |
負(fù)載電容 | 15PF |
溫度特征 |
±10×10-6 max /−30~+85℃ ±30×10-6 max /-40~+85℃ |
消費(fèi)電流 |
+3.2mA max (3.25MHZ≦fo≦32MHZ) +3.6mA max (32MHZ<fo≦40MHZ) +4.0mA max(40MHZ<fo≦48MHZ) +4.5mA max(48MHZ<fo≦60MHZ) |
負(fù)荷變動特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) |
電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) |
老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
起動時間 | 3.0ms max |



耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).


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