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- 規(guī)格型號(hào)：31806117
- 頻率：15.476~1300MHZ
- 尺寸：7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述：IDT晶振,8N4DV85晶振,LVDS輸出晶振,汽車占每年全球主要能源消耗的16%。IDT的產(chǎn)品可以通過節(jié)能創(chuàng)新來幫助減少這種消費(fèi)。我們的智能傳感器接口和傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器有助于提高燃料效率和減少碳排放。IDT晶振以其智能傳感器...
IDT晶振,8N4DV85晶振,LVDS輸出晶振
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IDT晶振,8N4DV85晶振,LVDS輸出晶振,汽車占每年全球主要能源消耗的16%。IDT的產(chǎn)品可以通過節(jié)能創(chuàng)新來幫助減少這種消費(fèi)。我們的智能傳感器接口和傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器有助于提高燃料效率和減少碳排放。IDT晶振以其智能傳感器和行業(yè)領(lǐng)先的時(shí)間組合來處理汽車應(yīng)用。IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn)，支持功能性安全要求。
IDT的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器適用于各種汽車應(yīng)用，包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門定時(shí)、液位測(cè)量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)。
IDT晶振,8N4DV85晶振,LVDS輸出晶振,IDT的創(chuàng)新時(shí)機(jī)、互連、PMIC和無線電力解決方案使客戶能夠開發(fā)具有創(chuàng)新功能、改進(jìn)性能和延長電池壽命的移動(dòng)和個(gè)人電子產(chǎn)品。
| 型號(hào) | 符號(hào) | 8N4DV85 |
| 輸出規(guī)格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 15.476~1300MHZ |
| 電源電壓 | VCC | +2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40~+85℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40?+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對(duì)稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補(bǔ)償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補(bǔ)償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點(diǎn)電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時(shí)間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時(shí)間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動(dòng)（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動(dòng)（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動(dòng) | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.IDT晶振,8N4DV85晶振,LVDS輸出晶振.
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