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首頁歐美晶振Greenray晶振Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振

    Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振

  • 規(guī)格型號:66226182
  • 頻率:10~50MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0mm
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  • 產(chǎn)品描述:Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制...
     Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.
   Greenray格林雷工業(yè)是一家領(lǐng)先的精密晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器制造商.幾十年來我們所生產(chǎn)的晶振,石英晶體,貼片晶體等產(chǎn)品的設(shè)計,測試,包裝都是經(jīng)過一系列嚴(yán)格要求規(guī)范操作,是在我們位于賓夕法尼亞州機(jī)械堡的工廠中通過嚴(yán)格的管理以及嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度進(jìn)行操作的.我們所生產(chǎn)的有源晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)振蕩器都是符合ITAR標(biāo)準(zhǔn)的,我們的質(zhì)量管理體系認(rèn)證為ISO:9001標(biāo)準(zhǔn).
    Greenray格林雷工業(yè)生產(chǎn)貼片晶體振蕩器,有源晶振,SMT、thru - hole、混合和定制產(chǎn)品.所生產(chǎn)的石英晶體振蕩器根據(jù)性能可以分為:普通晶體振蕩器(SPXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等.
    Greenray格林雷晶振集團(tuán)致力于研發(fā)生產(chǎn)高精密,性能穩(wěn)定的石英晶體振蕩器,滿足不同客戶的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特點(diǎn).Greenray格林雷有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等在產(chǎn)品中使用具備優(yōu)異的振動性,耐沖擊等特性.Greenray格林雷還為廣大用戶提供具有良好可靠性,在產(chǎn)品中使用性能穩(wěn)定強(qiáng)的自校準(zhǔn)振蕩器,石英晶體振蕩器.
    Greenray晶振生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天,網(wǎng)絡(luò)通訊,GPS定位,汽車電子等領(lǐng)域,為現(xiàn)代的科技做出了巨大的貢獻(xiàn),格林雷晶振在美國晶振行業(yè)中處于領(lǐng)先的地位,以技術(shù)占領(lǐng)市場.Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振.


Frequency  10.0 MHz to 50.0 MHz
Output  CMOS or Clipped Sinewave
Symmetry  50% ± 10% (CMOS)
Output Level   Clipped SINE - +0.8V p-p typ into 10pF/10k ohm load;
HCMOS – T75 - +0.2V max to +2.8V min; T76 - +0.2V max to +4.2V min (15pF load)
Temp Stability Temp Range Tolerance Option
(other stabilities available -10°C to +60°C  ±0.3 ppM G37
-20°C to +70°C ±0.5 ppM N57
-40°C to +85°C  ±0.5 ppM T57
-40°C to +85°C  ±1.0 ppM T16
-55°C to +95°C ±3.0 ppM  V36
Aging  <1 ppM/yr (10 MHz typ)
Freq Adjust ±7 ppM typ via 0 to V cc control V, positive slope
Supply Voltage  +3.3 VDC ± 5% or +5.0 VDC
Supply Current < 6mA for HCMOS; < 3mA for SINE
Accel Sensitivity ≤2.5x10-9/g (“SD” option); ≤7x10-10/g (“LG” option)
Environmentals
Vibration – per MIL-STD-202G, Meth 214,Cond I-F
Shock - per MIL-STD-202G, Meth 213,Cond F
(Shock level available up to 50000g!)
Ordering Information:
Model Input V  Output  
T75 +3.3V HCMOS  
T76 +5.0V HCMOS  
T77 +3.3V CLIPPED SINE  
T78 +5.0V CLIPPED SINE  
    存儲事項(xiàng)
    (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
    正常溫度和濕度:
    溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
    (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
    安裝時注意事項(xiàng)
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
   (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振.

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地   址:中國廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)大道新湖路

 

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