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首頁進(jìn)口晶振愛普生晶振愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器

    愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器

  • 規(guī)格型號(hào):25004756
  • 頻率:25~500MHz
  • 尺寸:2.5×2.0×0.74mm
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  • 產(chǎn)品描述:愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本...


     愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
     愛普生株式會(huì)社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO).1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
     愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器,石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把貼片晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
晶振參數(shù) 符號(hào) SG2520EHN
標(biāo)準(zhǔn)頻率 fo 13~40MHZ
電源電壓 Vcc +1.1V ~+1.4V
存儲(chǔ)溫度 T_stg -40℃ ~ +90℃
工作溫度 T_use -30℃ ~ +85℃
頻率初期公差 F_tol ±2.0×10-6 Max
待機(jī)電流 I_std 2 uA MAX
輸出負(fù)載 L_CMOS 10 pF Max
輸出電壓 VOH  Vcc-0.8V Min
VOL 0.4V Max
上升/下降時(shí)間 tr/tf 8 ns Max
啟動(dòng)時(shí)間 T_str 10 ms Max
頻率老化 F_aging ±1.0×10-6 /years Max




愛普生晶振,SG2520EHN晶振,TCXO振蕩器,有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致石英晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
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