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更多>>愛普生2520mm有源晶振
來源:http://ljnshy.cn 作者:帝國科技技術(shù)部 2017年07月12
精工愛普生株式會(huì)社(總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”)將“SG-210S*H系列”石英晶體振蕩器產(chǎn)品化,并將于2012年4月起開始批量生產(chǎn)。該系列產(chǎn)品以高穩(wěn)定的基波(*1)激發(fā)80MHz至170MHz的高頻帶振蕩,還實(shí)現(xiàn)了2520mm貼片晶振的小規(guī)格尺寸。
占領(lǐng)中國晶振市場%20份額的一家日本晶振行業(yè)大企業(yè),現(xiàn)在推出了超小型貼片晶振,并且在于2012年開始批量生產(chǎn),這將又是晶振行業(yè)網(wǎng)的一次更新,也是各大數(shù)碼產(chǎn)品追求小,輕,薄,的福音,很多數(shù)碼產(chǎn)品,特別是通信產(chǎn)品,一直以來就被晶振的體積限制著發(fā)展速度,現(xiàn)在愛普生晶振推出這款小體積貼片晶振即將解決這方面難題。
近年來隨著數(shù)字設(shè)備的高速化和網(wǎng)絡(luò)大容量化的不斷進(jìn)展,這些設(shè)備中使用的工作時(shí)鐘晶體也朝著高頻化的方向迅速發(fā)展。作為時(shí)鐘源使用的高頻石英晶體諧振器的外形尺寸大多為7050mm貼片晶振,規(guī)格較大;有源晶振中內(nèi)建的石英振蕩單元主要采用三次諧波(*2)振蕩,其穩(wěn)定性與基波振蕩相比較差。因此,市場對小型、高穩(wěn)定的高頻石英晶振的需求不斷高漲。
為了回應(yīng)市場需求,愛普生晶振充分發(fā)揮自身的優(yōu)勢,應(yīng)用將石英材料與“MEM”相組合的“QMEMS(*3)”技術(shù),本次將“SG-210S*H系列”產(chǎn)品化。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小型尺寸有源晶振,并在其內(nèi)建的石英晶體振蕩單元中采用了穩(wěn)定性高的基波振蕩。
QMEMS(印制蝕刻晶體單元)技術(shù)在低頻帶已取得了實(shí)績。這次,我們應(yīng)用本項(xiàng)技術(shù)我們應(yīng)用本項(xiàng)技術(shù)只把激勵(lì)電極附近薄型化(反向臺(tái)構(gòu)造(*4)),從而既實(shí)現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小尺寸晶振,又以高頻帶的基波振蕩而獲得了高穩(wěn)定性。作為高速時(shí)鐘源而被重視的相位抖動(dòng)(*5)為0.3ps Typ,耗電量與本公司原有產(chǎn)品相比減少了約70%。
本系列產(chǎn)品將為實(shí)現(xiàn)通信系統(tǒng)的高速穩(wěn)定及大容量做出貢獻(xiàn)。今后,愛普生晶振仍將以QMEMS技術(shù)為核心,發(fā)揮自身優(yōu)勢提供元器件解決方案,為顧客的安全放心和舒適便利而盡力。
【術(shù)語說明】
(*1)基波
用石英晶體單元的振動(dòng)模式中的基本振動(dòng)(一次)而產(chǎn)生的振動(dòng)。
(*2)諧波
以基波為一次諧波相繼存在的高次振動(dòng)模式。
(*3)QMEMS
“QMEMS”是具有高穩(wěn)定、高精度等優(yōu)越性能的石英材料“QUARTZ”和“MEMS”(精微加工技術(shù))組合成的造詞。與以半導(dǎo)體為材料的MEMS相對應(yīng),以石英為原料進(jìn)行精微加工而提供小型化、高性能的石英晶振元器件被稱為“QMEMS”。“QMEMS”是精工愛普生株式會(huì)社的注冊商標(biāo)。
(*4)反向臺(tái)構(gòu)造
把主電極部分的厚度加工成10μm左右的薄型,支持部分及振蕩單元外圍部分保持足夠的厚度以抗沖擊的結(jié)構(gòu)。
(*5)相位抖動(dòng) 將相位噪音在一定范圍的偏差頻率內(nèi)積分所得的數(shù)值,是抖動(dòng)的參數(shù)之一。愛普生下一部將在研發(fā)表晶,32.768KHZ更小體積石英晶體,以配合小體積兆級晶振匹配需求。
【主要規(guī)格】
產(chǎn)品型號 規(guī)格 條件
SG-210SEH SG-210SDH SG-210SCH
電源電壓(Vcc) 1.8V±10% 2.5V±10% 3.3V±10%
輸出頻率范圍 80MHz~170MHz
工作溫度范圍 -20℃~70℃ / -40℃~85℃
頻率公差 B:±50x10-6 C:±100x10-6 -20℃~70℃
L:±50x10-6 M:±100x10-6 -40℃~85℃
消耗電流 6mA Max 7mA Max 9mA Max 80MHz~125MHz、
無負(fù)載
8mA Max 9mA Max 11mA Max 125.1MHz~170MHz、
無負(fù)載
占空比 45%~55% CL=15pF
相位抖動(dòng) 0.3ps Typ.
(0.7ps Max.) 0.3ps Typ. (0.6ps Max.) 偏移 12kHz~20MHz
輸出電平 CMOS
外形尺寸 2.5mm x 2.0mm x t0.8mm (Typ.)
【“SG-210S*H系列”有源晶振的主要特點(diǎn)】
?高穩(wěn)定性(低抖動(dòng))
相位抖動(dòng): 0.3 ps Typ (“SG-210SCH”100MHz)
?小規(guī)格封裝
外形尺寸: 2.5mm×2.0mm×t0.8mm Typ.
?低耗電(比本公司原有產(chǎn)品降低了約70%)
新產(chǎn)品“SG-210SCH”100MHz : 4.6mA(無負(fù)載)
原有產(chǎn)品“TCO-7086X1A”100MHz : 14mA(無負(fù)載)
占領(lǐng)中國晶振市場%20份額的一家日本晶振行業(yè)大企業(yè),現(xiàn)在推出了超小型貼片晶振,并且在于2012年開始批量生產(chǎn),這將又是晶振行業(yè)網(wǎng)的一次更新,也是各大數(shù)碼產(chǎn)品追求小,輕,薄,的福音,很多數(shù)碼產(chǎn)品,特別是通信產(chǎn)品,一直以來就被晶振的體積限制著發(fā)展速度,現(xiàn)在愛普生晶振推出這款小體積貼片晶振即將解決這方面難題。

近年來隨著數(shù)字設(shè)備的高速化和網(wǎng)絡(luò)大容量化的不斷進(jìn)展,這些設(shè)備中使用的工作時(shí)鐘晶體也朝著高頻化的方向迅速發(fā)展。作為時(shí)鐘源使用的高頻石英晶體諧振器的外形尺寸大多為7050mm貼片晶振,規(guī)格較大;有源晶振中內(nèi)建的石英振蕩單元主要采用三次諧波(*2)振蕩,其穩(wěn)定性與基波振蕩相比較差。因此,市場對小型、高穩(wěn)定的高頻石英晶振的需求不斷高漲。
為了回應(yīng)市場需求,愛普生晶振充分發(fā)揮自身的優(yōu)勢,應(yīng)用將石英材料與“MEM”相組合的“QMEMS(*3)”技術(shù),本次將“SG-210S*H系列”產(chǎn)品化。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小型尺寸有源晶振,并在其內(nèi)建的石英晶體振蕩單元中采用了穩(wěn)定性高的基波振蕩。
QMEMS(印制蝕刻晶體單元)技術(shù)在低頻帶已取得了實(shí)績。這次,我們應(yīng)用本項(xiàng)技術(shù)我們應(yīng)用本項(xiàng)技術(shù)只把激勵(lì)電極附近薄型化(反向臺(tái)構(gòu)造(*4)),從而既實(shí)現(xiàn)了2.5mm×2.0mm的小尺寸晶振,又以高頻帶的基波振蕩而獲得了高穩(wěn)定性。作為高速時(shí)鐘源而被重視的相位抖動(dòng)(*5)為0.3ps Typ,耗電量與本公司原有產(chǎn)品相比減少了約70%。

本系列產(chǎn)品將為實(shí)現(xiàn)通信系統(tǒng)的高速穩(wěn)定及大容量做出貢獻(xiàn)。今后,愛普生晶振仍將以QMEMS技術(shù)為核心,發(fā)揮自身優(yōu)勢提供元器件解決方案,為顧客的安全放心和舒適便利而盡力。
【術(shù)語說明】
(*1)基波
用石英晶體單元的振動(dòng)模式中的基本振動(dòng)(一次)而產(chǎn)生的振動(dòng)。
(*2)諧波
以基波為一次諧波相繼存在的高次振動(dòng)模式。
(*3)QMEMS
“QMEMS”是具有高穩(wěn)定、高精度等優(yōu)越性能的石英材料“QUARTZ”和“MEMS”(精微加工技術(shù))組合成的造詞。與以半導(dǎo)體為材料的MEMS相對應(yīng),以石英為原料進(jìn)行精微加工而提供小型化、高性能的石英晶振元器件被稱為“QMEMS”。“QMEMS”是精工愛普生株式會(huì)社的注冊商標(biāo)。
(*4)反向臺(tái)構(gòu)造
把主電極部分的厚度加工成10μm左右的薄型,支持部分及振蕩單元外圍部分保持足夠的厚度以抗沖擊的結(jié)構(gòu)。
(*5)相位抖動(dòng) 將相位噪音在一定范圍的偏差頻率內(nèi)積分所得的數(shù)值,是抖動(dòng)的參數(shù)之一。愛普生下一部將在研發(fā)表晶,32.768KHZ更小體積石英晶體,以配合小體積兆級晶振匹配需求。

【主要規(guī)格】
產(chǎn)品型號 規(guī)格 條件
SG-210SEH SG-210SDH SG-210SCH
電源電壓(Vcc) 1.8V±10% 2.5V±10% 3.3V±10%
輸出頻率范圍 80MHz~170MHz
工作溫度范圍 -20℃~70℃ / -40℃~85℃
頻率公差 B:±50x10-6 C:±100x10-6 -20℃~70℃
L:±50x10-6 M:±100x10-6 -40℃~85℃
消耗電流 6mA Max 7mA Max 9mA Max 80MHz~125MHz、
無負(fù)載
8mA Max 9mA Max 11mA Max 125.1MHz~170MHz、
無負(fù)載
占空比 45%~55% CL=15pF
相位抖動(dòng) 0.3ps Typ.
(0.7ps Max.) 0.3ps Typ. (0.6ps Max.) 偏移 12kHz~20MHz
輸出電平 CMOS
外形尺寸 2.5mm x 2.0mm x t0.8mm (Typ.)
【“SG-210S*H系列”有源晶振的主要特點(diǎn)】
?高穩(wěn)定性(低抖動(dòng))
相位抖動(dòng): 0.3 ps Typ (“SG-210SCH”100MHz)
?小規(guī)格封裝
外形尺寸: 2.5mm×2.0mm×t0.8mm Typ.
?低耗電(比本公司原有產(chǎn)品降低了約70%)
新產(chǎn)品“SG-210SCH”100MHz : 4.6mA(無負(fù)載)
原有產(chǎn)品“TCO-7086X1A”100MHz : 14mA(無負(fù)載)
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